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2
C3D10170H Rev. -
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
1
2
3
4
5
6
7
Electrical Characteristics
Symbol
Parameter
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
Note
VF
Forward Voltage
1.7
3
2
3.5
V
IF
= 10 A T
J=25°C
IF
= 10 A T
J=175°C
IR
Reverse Current
20
100
60
300
μA
VR
= 1700 V T
J=25°C
VR
= 1700 V T
J=175°C
QC
Total Capacitive Charge
96
nC
VR
= 1700 V, I
F
= 10 A
di/dt
= 200 A/μs
TJ
= 25°C
C
Total Capacitance
827
78
41
pF
VR
= 0 V, T
J
= 25°C, f = 1 MHz
VR
= 200 V, T
J
= 25?C, f = 1 MHz
VR
= 800 V, T
J
= 25?C, f = 1 MHz
Note:
1.
This is a majority carrier diode, so there is no reverse recovery charge.
Thermal Characteristics
Symbol
Parameter
Typ.
Unit
RθJC
Thermal Resistance from Junction to Case
0.65
°C/W
Typical Performance
Figure 1. Forward Characteristics
0
1
2
3
4
5
0
250
500
750
1000
1250
1500
1750
2000
2250
Figure 2. Reverse Characteristics
I
F
(A)
VF
(V)
I
R
(μA)
VR
(V)
TJ=-55°C
TJ= 25°C
TJ= 75°C
TJ
=125°C
TJ
=175°C
TJ=-55°C
TJ= 25°C
TJ= 75°C
TJ
=125°C
TJ
=175°C
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